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第25章 我们龙国真的出了一条真龙啊（第3页）

看到李天彦突然直直的盯着自己，张青菁仿佛意识到什么一样。

手中的动作也停了下来。

“然后，我们就去吃高级的高卢料理，正好我知道很远的地方有一家特别好吃…”

“这是我答应你的！”

…

然而，当这个世界上的所有龙国人几乎都是喜悦的时候。

我们的主角，王为！

却陷入了与第三个任务：1on光源系统的纠缠中。

事实上，凭借昏迷前的认知。

他一直以为镜头是整个光刻机中最难制造的部分。

而系统之所以将光源放在最后的原因。

多半是由于它需要用到高抛光度的镜头而已。

可随着相关所有知识一股脑的涌入。

王为才知道，这也相当的不简单呐！

难怪阿麦斯的最新一代euv光刻机，即使2o亿一台，都供不应求。

每一部分所需要的零部件都代表着世界上最顶级的技术，极难生产出来！

量产更是遥遥无期！

年产量最多不过6o台的它，简直要比那些限量版跑车还要抢手！

要知道，高能光源是实现大规模量产并降低成本的前提和保障。

而且，由于要同时满足euv光刻胶对分辨率和线宽粗糙度的需求，光源的功率需要不断提高。

功率＞11591的光源可以确保涂有敏感度为5j2光刻胶的硅片的产能＞1oo片h，而对于敏感度达到1oj2的光刻胶就需要18o91的光源而敏感度高于2oj2的光刻胶甚至需要2oo91以上的光源以满足量产需求。

由此可知，为了满足未来euv光刻技术的展需要，其光源结构也必须能够支持升级换代。

目前euv曝光光刻设备使用的是两种光源。

一种叫dpp，是低功率辉光放电等离子体光源，另一种就是1pp，也就是激光等离子体光源。

前者不能够满足大规模量产的需求，而后者由于其具备高功率输出的优势最有希望担负起euv光刻技术量产的大任。

进而继193n浸没式光刻技术后成为ics制造领域的主流光刻技术。

euv光源要能够达到实用，在照明系统的入口处，在波长为135n带宽为2％的范围内，需要11591的euv输出功率。

但系统所布可是极紫外线波长为1on的光源系统。

毕竟，波长越短，能量就越大。

这是一个常识！

无疑，这可以进一步提高输出功率从而提高输入功率。

最后得到高转换效率的实现。

不过相应的，也就增加了王为研究的难度。

这让他禁不住自顾叹气道。

“唉，难难难，任务之难…”

“还是没睡一觉难！”